超高真空装置
分析分子線エピタキシー装置(Molecular Beam Epitaxy : MBE) “MBE大” (D6)
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FT-IR (Bruker Optics Vertex 70)
RHEED-gun (Vieetech VE052)
RHEED Image analysis system (K-space KSA400)
Q-mass x2 (Spectra MONITORR; SRS RGA100)
LEED-AES (OCI BDL-600IR)
K-cell x3 (EPI)
Multi(x3) E-gun (Vieetech)
Sputter-gun (ULVAC-PHI USG3)
Ion-source (SPECS IQE 12/38)
装置模式図
超高真空真空中に備えられたK-セル(x2)や電子ビーム蒸着源(x3)により、単原子層オーダーで蒸着原子を基板に堆積することが出来ます。
作製した試料の表面構造は高速反射電子線回折(RHEED)、低速電子線回折(LEED)により評価されます。
また、フーリエ変換赤外分光装置(FTIR)により基板表面吸着分子の高感度反射赤外（IRRAS）測定や偏光変調赤外分光（PMIR)、昇温脱離装置(TDS)脱離測定が可能です。
分析分子線エピタキシー装置 “Jr.” (D6)
- FT-IR (Bomem MB100)
RHEED-gun (Vieetech VE052)
RHEED Image analysis system (K-space KSA400)
Q-mass (Spectra MONITORR)
E-gun x2 (Vieetech)
Sputter-gun (ULVAC-PHI USG3)
Arc-plasma gun (ULVAC ARL300)
- 小型のMBE装置です。清浄化のためのスパッタリング銃、電子ビーム蒸着源(x2)、RHEED, FTIR, アークプラズマ蒸発源が備え付けられています。
分析分子線エピタキシー装置 “B室NEDO” (D3)
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FT-IR (Bomen MB100)
LEED (OCI BDL-400IR)
Evaporation source x2 (AVC)
Sputter-gun (Omegatoron OMI-0043CKE)
装置模式図
MBE装置です。清浄化のためのスパッタリング銃、電子ビーム蒸発源(x2)、FTIR、LEED等により表面物性評価が出来ます。モデル電極触媒の作製にも使用します。
硫黄分子線エピタキシー装置 “Sulfur”
- Valved sulfur source (Dr. Eberl MBE-Komponenten GmbH)
- 装置模式図
小型のMBE装置です。硫黄の分子線が制御可能なバルブドクラッカーセルが備え付けられています。
超高真空アークプラズマ装着装置 “アークプラズマ” (A406)
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Arc-plasma gun x2 (ULVAC ARL300)
装置模式図
超高真空中にアークプラズマ蒸発源(x2)が備えられており、両者のシークエンス制御により任意の基板に組成制御した合金ナノ微粒子の作製が可能です。
超高真空走査トンネル顕微鏡(UHV-STM) “UHV-STM” (D3)
- UHV-STM (JEOL JSPM-4500S + SEINAN UHV-EC transfer rod)
X-ray-gun (SPECS XR50)
Electron energy analyser (SPECS PHOIBOS 100 MCD-5)
LEED / Auger Spectrometers (OCI BDL 600IR)
Evasporation source x2 (Beamtron)
Low energy neutral ion gun (Omegatron OMI-0736ND)
触媒特性評価装置・表面分析装置
走査プローブ顕微鏡(Scanning Probe Microscope : SPM) “大気SPM”(D3)
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Bruker Nano MultiMode + halcyonic nano20
走査トンネル顕微鏡(STM), 原子間力顕微鏡(AFM)の両方の測定が可能で、試料や用途に応じて両者を使い分けています。除振にアクティブ除振台を用いています。
電気化学走査トンネル顕微鏡（Electrochemical Scanning Tunneling Microscope : EC-STM） ”電気化学STM”（D3）
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Bruker Nano MultiMode + Bruker ECM-3
電解液中、電位印加時の表面観察、すなわち電気化学環境におけるSTMです。電位変動下におけるナノ微粒子の形態観察などに用います。
一体型走査トンネル顕微鏡（Scanning Tunneling Microscope : STM） ”NaioSTM”（A406）
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Nanosurf : NaioSTM
カーボン基板上に堆積した金属・合金ナノ微粒子の観察に用います。
ガスクロマトグラフ(Gas Chromatograph : GC) “ガスクロ”(A406)
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Shimazu GC-2014 + Toho Technical Research PS-14 Detector:TCD & FID
電解還元反応生成物分析に利用しています。
グローブボックス＋電気化学測定システム “グローブボックス”(A406)
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UNICO + Hokuto HZ-5000,HR301
装置模式図
超高真空中で作製したモデル電極触媒を大気暴露せずグローブボックスに搬送し、グローブボックス内の回転ディスク（RDE)などにより構造制御された最表面構造の電気化学特性、電極触媒特性評価に使用しています。
電位差自動滴定装置(Automatic Potentiometric Titrator) “オゾン滴定装置”(A406)
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KEM AT-710BA
ヨウ素還元滴定(ヨードメトリー)を行い、
溶液中に生成したオゾン量を評価するために利用しています。